LTM4632 是一款超薄的三路输出降压型 μModule (电源模块) 稳压器，可提供用于 DDR-QDR4 SRAM 的完整电源解决方案。LTM4632 可在一个 3.6V 至 15V 的输入电压范围内运作，支持两个用于 VDDQ 和 VTT 的 ±3A 输出电源轨 (两者均可吸收和提供电流) 和一个 10mA 低噪声基准 VTTR 输出。VTT 和 VTTR 皆跟踪并等于 VDDQ/2。LTM4632 采用 6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封装和超薄型 6.25mm x 6.25mm x 2.42mm BGA 封装，其内置了开关稳压器、功率 FET、电感器和支持组件。或者，该电源模块也可配置为一个两相单路 ±6A 输出 VTT。仅需少量的陶瓷输入和输出电容器即可构成完整的设计。

LTM4632 支持可选的突发模式操作 (仅限 CH1) 和用于电源轨排序的输出电压跟踪功能。其高开关频率和电流模式控制实现了针对电压和负载变化的快速瞬态响应，并且未牺牲稳定性。

故障保护功能包括过压输入、过流和过热保护。

LTM4632 可提供符合 SnPb (BGA) 或 RoHS 标准引脚涂层的封装。

• DDR 存储器电源
• 通用型负载点转换
• 电信、网络和工业设备

• 包括 VDDQ、VTT、VTTR (或 VREF) 的完整 DDR-QDR4 SRAM 电源解决方案
• 占板面积为 0.5cm2 (双面 PCB) 的解决方案
• 宽输入电压范围：3.6V 至 15V
• 3.3V 输入可兼容连接至 INTVCC 的 VIN
• 0.6V 至 2.5V 输出电压范围
• 双路 ±3A DC 输出电流 (具有提供和吸收能力)
• ±1.5%、±10mA 缓冲 VTTR = VDDQ/2 输出
• 3A VDDQ + 3A VTT 或双相单路 6A VTT
• 在整个负载、电压和温度范围内具有 ±1.5% 的最大总输出电压调节误差
• 电流模式控制，快速瞬态响应
• 外部频率同步
• 多相可并联和均流
• 可选的突发模式 (Burst Mode) 操作
• 过压输入和过热保护
• 电源良好指示器
• 超薄型 6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封装和超薄型 6.25mm x 6.25mm x 2.42mm BGA 封装

LTM4632EV#PBF，封装：25-Lead LGA (6.25mm x 6.25mm x 1.82mm)，包装形式及数量：托盘，260，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：9.82（100-499个）；8.09（1000+个）

LTM4632EY#PBF，封装：25-Lead BGA (6.25mm x 6.25mm x 2.42mm)，包装形式及数量：托盘，260，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：10.3（100-499个）；8.48（1000+个）

LTM4632IV#PBF，封装：25-Lead LGA (6.25mm x 6.25mm x 1.82mm)，包装形式及数量：托盘，260，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：10.8（100-499个）；8.9（1000+个）

LTM4632IY，封装：25-Lead BGA (6.25mm x 6.25mm x 2.42mm)，包装形式及数量：托盘，260，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：14.42（100-499个）；11.88（1000+个）

LTM4632IY#PBF，封装：25-Lead BGA (6.25mm x 6.25mm x 2.42mm)，包装形式及数量：托盘，260，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：11.29（100-499个）；9.3（1000+个）

DC2367A：LTM4632 Demo Board | Ultrathin Triple Output Buck μModule Regulator for DDR-QDR4 Memory, 3.6V ≤ VIN ≤ 15V, ±3A VDDQ/VTT, 10mA VREF

Demonstration circuit DC2367A features the LTM4632EV μModule regulator, a tiny low-profile high-performance high efficiency dual step-down regulator for DDR power. LTM4632 has an operating input voltage range of 3.6V to 15V. The output voltage of channel 1 (VDDQ) is resistor programmable from 0.6V to 2.5V and is capable of delivering up to 3A of output current. The output voltage of channel 2 (VTT) is set to regulate ½ of the voltage on the VDDQIN pin which can provided by either the channel 1 output or an external reference voltage. It can source or sink up to 3A of output current. A 10mA buffered output of VDDQIN/2 is also provided for supplying VREF voltage for DDR memory. DC2367A also provides the option for paralleling channels 1 and 2 together for up to 6A capable VTT rail.