LTC4371 是一款双输入负电压理想二极管 “或” 控制器，其用于驱动外部 N 沟道MOSFET，可在高功率 -48V 系统中作为肖特基二极管的一种低耗散替代方案。低的功率耗散和电压损失免除了增设散热器的需要，并缩减了 PC 板面积。可以很容易地把电源 “或” 连接在一起，以提高整体系统功率和可靠性。

LTC4371 可耐受比如那些在雷电引起的浪涌和输入电源短路过程中所遭遇的 ±300V 瞬变。内部并联稳压器和 350μA 低静态电流允许使用大阻值的降压电阻器以保护电源引脚免遭高电压瞬变的损坏，而高阻抗漏极引脚则可由高阻值的串联电阻器给予相似的保护，并不会牺牲二极管的工作性能。

220ns 的反向电流关断由一个具有低传播延迟的强大 2A 栅极驱动器来实现，从而较大限度地减小了灾难性故障情况下的峰值反向电流。MOSFET 开路和熔丝故障在 FAULTB 引脚上指示，该引脚能够吸收 5mA 以驱动一个 LED 或光耦合器。

• –48V 电信电源
• AdvancedTCA 系统
• 网络路由器和交换器
• 计算机系统 / 服务器

• 可控制 N 沟道 MOSFET 以替代功率肖特基二极管
• 15mV 的低正向电压较大限度地减少了耗散
• 可承受 > ±300V 的瞬变
• 快速关断：< 220ns
• 可针对高电压应用进行并联调节
• 4.5V 最小工作电压
• 350μA 的低静态电流
• 适合 60Hz 应用的 5mA 栅极上拉
• 高阻抗漏极引脚：<10μA 泄漏
• 熔丝开路和 MOSFET 监视器
• 10 引脚 (3mm x 3mm) DFN 和 MSOP 封装

LTC4371CDD#PBF，封装：10-Lead DFN (3mm x 3mm w/ EP)，包装形式及数量：管装，121，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：3.1（100-499个）；2.56（1000+个）

LTC4371CDD#TRPBF，封装：10-Lead DFN (3mm x 3mm w/ EP)，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：3.1（100-499个）；2.56（1000+个）

LTC4371CMS#PBF，封装：10-Lead MSOP，包装形式及数量：管装，50，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：3.1（100-499个）；2.56（1000+个）

LTC4371CMS#TRPBF，封装：10-Lead MSOP，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：3.1（100-499个）；2.56（1000+个）

LTC4371IDD#PBF，封装：10-Lead DFN (3mm x 3mm w/ EP)，包装形式及数量：管装，121，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：3.91（100-499个）；3.23（1000+个）

LTC4371IDD#TRPBF，封装：10-Lead DFN (3mm x 3mm w/ EP)，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：3.91（100-499个）；3.23（1000+个）

LTC4371IMS#PBF，封装：10-Lead MSOP，包装形式及数量：管装，50，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：3.91（100-499个）；3.23（1000+个）

LTC4371IMS#TRPBF，封装：10-Lead MSOP，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：3.91（100-499个）；3.23（1000+个）

DC2180A：LTC4371 Demo Board | Dual -48V, 50A Ideal Diode-OR

Demonstration circuit 2180A showcases the LTC4371 dual negative voltage ideal diode-OR controller and monitor, in a −48V, 50A application. Each channel includes two paralleled 2mΩ (Max) MOSFETs for a total dissipation of just 2.5W at full load. Power connections are made by way of 1⁄4" ring terminals with a cable capacity of 4 AWG.