LTC4362 单片式过压/过流保护控制器可保护 2.5V 至 5.5V 系统免遭输入电源过压的损坏。它专为具有多种电源选项 (包括墙上适配器、汽车电池适配器和 USB 端口) 的便携式设备而设计。

LTC4362 用于控制一个与输入电源串联的内部 40mΩ N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间，LTC4362 能在 1μs 的时间之内关断 MOSFET，从而将下游的组件与输入电源隔离开来。在大多数应用中，LTC4362 可安全地经受电感性电缆瞬变，而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。一个内部电流检测电阻器用于实现过流保护功能。

LTC4362 具有一种用于限制浪涌电流的延迟启动 (在插电时) 和受控型 dV/dt 斜坡上升功能。一个 PWRGD 引脚提供了针对 VIN 的电源良好监视功能。LTC4362 具有一种受控于 ON 引脚的软停机功能，并驱动一个任选的外部 P 沟道 MOSFET 以提供负电压保护。在一个过压情况之后，LTC4362 将在一个 130ms 的延迟之后自动重新起动。在一个过流情况之后，LTC4362-1 保持关断状态，而 LTC4362-2 将在一个 130ms 的延迟之后自动重新起动。 

• USB 保护
• 手持式计算机
• 蜂窝电话/智能手机
• MP3 / MP4 播放器
• 数码相机

• 2.5V 至 5.5V 工作电压
• 过压保护高达 28V
• 内部 40mΩ N 沟道 MOSFET 和 31mΩ RSENSE
• 对于大多数应用，雪崩额定 MOSFET 无需使用输入电容器或 TVS (瞬态电压抑制器)
• <1μs 的过压关断时间，渐渐逐步地停机
• 准确度为 2% 的 5.8V 过压门限
• 准确度为 20% 的 1.5A 过流门限
• 采用 ≧1μF COUT 时，输入可承受高达 ±25kV HBM ESD
• 受控的上电 dV/dt 限制浪涌电流
• 反向电压保护驱动器
• 低电流停机模式
• 在过流之后锁断 (LTC4362-1) 或自动重试 (LTC4362-2)
• 采用 8 引脚 2mm x 3mm DFN 封装

LTC4362CDCB-1#TRMPBF，封装：8-Lead DFN (2mm x 3mm w/ EP)，包装形式及数量：卷带，500，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：2.13（100-499个）；1.82（1000+个）

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DC1575B：LTC4362CDCB-2 Demo Board | Monolithic Overvoltage and Overcurrent Protector with Auto-Retry

Demonstration circuit 1575B features the LTC4362, a monolithic overvoltage/overcurrent protector that safeguards 2.5V to 5.5V systems from power supply overvoltage. It is designed for portable devices with multiple power supply options including wall adaptors, car battery adaptors and USB ports.