LT1910 是一款高端栅极驱动器，它允许采用低成本 N 沟道功率 MOSFET 来满足高端开关应用的需要。该器件包含一个完全独立的充电泵，用于在不使用外部元件的情况下全面强化一个 N 沟道 MOSFET 开关。

当内部漏极比较器检测到开关电流超过了预设水平时，开关被关断并确定一个故障标记。开关将在由一个外部定时电容器设定的一段时间里保持关断状态，随后自动尝试再起动。如果故障仍然存在，则该循环将重复进行，直到故障被清除为止，从而起到保护 MOSFET 的作用。一旦开关成功地再起动，则故障标记将不出现。

LT1910 专为那些有可能存在不良电源调节和 / 或瞬变的严酷工作环境而设计，例如：工业、航空电子和汽车应用。–15V 至 60V 的电源瞬变将不会对该器件造成损坏。

LT1910 采用 SO-8 封装。

• 工业控制
• 航空电子系统
• 汽车开关
• 步进式电动机和 DC 电动机控制
• 电子电路断路器
  
  

• 8V 至 48V 电源范围
• 提供了针对 –15V 至 60V 电源瞬变的保护
• 具短路保护功能
• 自动再起动定时器
• 集电极开路故障标记
• 全面强化了 N 沟道 MOSFET 开关
• 可编程电流限值、延迟时间和自动再起动周期
• 电压受限的栅极驱动
• 在输入开路的情况下默认为 OFF 状态
• 采用 SO-8 封装
  
  

LT1910ES8#PBF，封装：8-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch)，包装形式及数量：管装，100，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：2.78（100-499个）；2.32（1000+个）

LT1910ES8#TRPBF，封装：8-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch)，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：2.78（100-499个）；2.32（1000+个）

LT1910IS8#PBF，封装：8-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch)，包装形式及数量：管装，100，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.11（100-499个）；2.54（1000+个）

LT1910IS8#TRPBF，封装：8-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch)，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.11（100-499个）；2.54（1000+个）

DC2307A：LT1910ES8 Demo Board | Fault-Protected High Side Driver; 8V ≤ VSUPPLY ≤ 48V, IOUT Up to 5A

Demonstration circuit 2307A is a high input voltage protected high side MOSFET driver featuring the LT1910ES8. This demo board has a wide input voltage range from 8V to 48V and is capable of protecting a voltage source against a short circuit. The LT1910 has a 50mV trip point for the selection of the current sense resistor RS1. The value of RS1 is 0.01Ω in this demo board which allows the output to deliver up to 5A. However, the RS1 footprint supports multiple sizes and can be replaced with up to a 2W device.