LT1336是一款成本效益型半桥式N 沟道功率 MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V (绝对最大值) 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。在 PWM 操作模式中，一个片内开关稳压器可保存自举电容器中的电荷，即使当接近和工作于 100% 占空比时也不例外。

内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特自适应保护功能电路取消了对两个MOSFET 的全部匹配要求。这极大地简化了高效率电动机控制和开关稳压器系统的设计。

在低供电电压或启动条件下，欠压闭锁电路将主动地把驱动器输出拉至低电平，以防止功率 MOSFET 被部分接通。由于具有 0.5V 迟滞，因此即使在电源电压缓慢变化的情况下也能实现可靠的操作。

• 高电流感性负载的 PWM
• 半桥式和全桥式电动机控制
• 同步降压型开关稳压器
• 三相无刷电动机驱动
• 大电流换能器驱动器
• D 类功率放大器

• 工作电压高达 60V 的浮动顶端驱动器开关
• 用于 DC 操作的内部升压型稳压器
• 180ns 变换时间 (驱动 10,000pF)
• 自适应非重叠栅极驱动可防止发生贯通
• 可把顶端 N 沟道 MOSFET 的栅极驱动至高于电源电压
• 在高占空比条件下保持顶端驱动
• TTL / CMOS 输入电平
• 具迟滞的欠压闭锁
• 工作电源电压范围：10V 至 15V
• 单独的顶端和底端驱动引脚

LT1336CN#PBF，封装：16-Lead PDIP (Narrow 0.30 Inch)，包装形式及数量：管装，25，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：3.68（100-499个）；3.45（1000+个）

LT1336CS#PBF，封装：16-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch)，包装形式及数量：管装，50，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：4.03（100-499个）；3.75（1000+个）

LT1336CS#TRPBF，封装：16-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch)，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：4.03（100-499个）；3.75（1000+个）

LT1336IN#PBF，封装：16-Lead PDIP (Narrow 0.30 Inch)，包装形式及数量：管装，25，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：4.26（100-499个）；3.97（1000+个）

LT1336IS#PBF，封装：16-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch)，包装形式及数量：管装，50，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：4.60（100-499个）；4.27（1000+个）

LT1336IS#TRPBF，封装：16-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch)，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：4.60（100-499个）；4.27（1000+个）

DC102A：LT1336 | 具有升压稳压器的 1/2 桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动器

本演示电路是一款面向一般应用的 N 沟道半桥。该半桥可用 TTL/CMOS 电平信号驱动至负责驱动 N 沟道 MOSFET 的 LT1336 中。独立式高端驱动器稳压器可实现 100% 占空比的 PWM 操作，并不会出现中断。通过在供原型设计之用的空间内添加一个控制器 IC 和一些其他组件，可以将本演示板转变为完整的系统解决方案。该半桥包括四个功率 MOSFET、两个并联的顶端 MOSFET 和两个并联的底端 MOSFET。