HMC8413是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.01 GHz至9 GHz。

在0.01 GHz至7 GHz范围内，HMC8413提供19.5 dB典型增益、1.9 dB典型噪声系数和35 dBm典型输出IP3，采用5 V电源电压时功耗仅为95 mA。在0.01 GHz至7 GHz范围内，22 dBm的典型饱和输出功率(PSAT)可以使低噪声放大器用作ADI公司众多平衡式同相/正交 (I/Q)或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。

HMC8413还具有内部匹配50 Ω的输入和输出，非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线电应用。

HMC8413采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm 6引脚LFCSP封装。

应用

• 测试仪器仪表
• 军事通信
• 军用雷达
• 电信

• 低噪声指数：0.01 GHz 到 7 GHz 范围内为 1.9 dB（典型值）
• 单一正电源（自偏置）

• 高增益：0.01 GHz 到 7 GHz 范围内为 19.5 dB（典型值）
• 高 OIP3：0.01 GHz 到 7 GHz 时为 35 dBm（典型值）
• 符合 RoHS 标准的 2 mm × 2 mm、 6 引脚LFCSP 封装

HMC8413LP2FE，封装：6-Lead LFCSP (2mm x 2mm)，包装形式及数量：Cut Tape,100，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：53.38（100-499个）；48.14（1000+个）

HMC8413LP2FETR，封装：6-Lead LFCSP (2mm x 2mm)，包装形式及数量：卷带，500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：48.14（1000+个）

EVAL-HMC8413：评估 HMC8413 低噪声放大器，0.01 GHz 至 9 GHz

EV1HMC8412LP2F 由采用 10 mil 厚的 Rogers 4350B 和 Isola 370HR 铜箔制成的 4 层印刷电路板 (PCB) 组成，形成 62 mil 的标称厚度。EV1HMC8413LP2F 上的 RFIN 和 RFOUT 端口由 3.5 mm 母头同轴连接器填充，其各自的射频迹线都有 50 Ω 特性阻抗。EV1HMC8413LP2F 填充了适合在 HMC8413 的 −40°C 至 +85°C 工作温度范围内使用的元件。为校准板的回溯损耗，J1 和 J2 连接器之间提供一个直通校准路径。J1 和 J2 必须填充 RF 连接器才能使用该直通校准路径。有关直通校准路径的性能，请参阅表 1 和图 3。

通过表面贴装技术 (SMT) 测试点连接器 GND 和 VDD，访问 EV1HMC8412LP2F 的接地路径和 RFOUT/VDD 引脚。随附用于 VBIAS 的补充测试点，可轻松访问 RBIAS 引脚（测试点组件见用户手册测试点小节的图 5）。
EV1HMC8413LP2F 上的 RF 迹线为 50 Ω 接地共面波导迹线。封装接地引线和裸焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔连接顶部和底部接地平面，并特别关注接地焊盘正下方的区域，以便为散热器提供充分的导电性和导热性。

EV1HMC8413LP2F 上的电源去耦电容器代表了用于表征和评定套件的配置。可能可减少电容器数量，但因系统而异。在减少电容器数量时，建议先移除或合并离 HMC8413 最远的最大的电容器。

有关 HMC8413 的完整详细信息，请参阅 HMC8413 数据手册，在使用 EV1HMC8413LP2F.-EVALZ 时，必须同时参阅该数据手册和本用户指南。