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HMC8412的基本参数
  • 制造厂商:AD
  • 产品类别:RF放大器
  • 技术类目:低噪声放大器
  • 功能描述:0.4 GHz 至 11 GHz 低噪声放大器
  • (AD代理渠道,提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格)
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HMC8412的产品详情:

HMC8412 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器,工作范围为 0.4 GHz 至 11 GHz。

HMC8412 提供 15.5 dB 的典型增益、1.4 dB 的典型噪声指数和 ≤33 dBm 的典型输出三阶交调点 (OIP3),只需要来自 5 V 漏极电源电压的 60 mA 的电流。≤ 20.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 ADI公司众多平衡式同相和正交 (I/Q) 或镜像抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。

HMC8412 还具有可在内部匹配至 50 ? 的输入和输出,使得该套件非常适合基于表面贴装技术 (SMT) 的高容量微波射频应用。

HMC8412 采用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm 6 引脚 LFCSP 封装。

应用

  • 测试仪器仪表
  • 电信
  • 军用雷达与通信电子战
  • 航空航天
HMC8412的优势和特点:
  • 低噪声系数:1.4 dB(典型值)
  • 单正电源(自偏置)
  • 高增益:≤15.5 dB(典型值)
  • 高OIP3:≤33 dBm(典型值)
  • 符合RoHS标准的2 mm x 2 mm、6引脚LFCSP封装
HMC8412TCPZ-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准)
  • 下载HMC8412TCPZ-EP数据手册(pdf)
  • •军用温度范围(−55℃至+125℃)
  • •受控制造基线
  • •唯一封装/测试厂
  • •唯一制造厂
  • •产品变更通知
  • •认证数据可应要求提供
  • V62/21602 DSCC图纸号
HMC8412具体的完整产品型号参数及价格(美元):

HMC8412CHIPS,封装:CHIPS OR DIE,包装形式及数量:托盘,25,工作温度:-55 to 85C,AD官网报价:52.18(100-499个);47.04(1000+个)

HMC8412CHIPS-SX,封装:CHIPS OR DIE,包装形式及数量:托盘,2,工作温度:-55 to 85C,AD官网报价:58.53(100-499个);58.53(1000+个)

HMC8412LP2FE,封装:6-Lead LFCSP (2mm x 2mm),包装形式及数量:Cut Tape,500,工作温度:-40 to 85C,AD官网报价:43.48(100-499个);39.19(1000+个)

HMC8412LP2FETR,封装:6-Lead LFCSP (2mm x 2mm),包装形式及数量:卷带,500,工作温度:-40 to 85C,AD官网报价:43.48(100-499个);39.19(1000+个)

HMC8412TCPZ-EP-PT,封装:6-Lead LFCSP (2mm x 2mm),包装形式及数量:Cut Tape,500,工作温度:-55 to 125C,AD官网报价:86.93(100-499个);78.39(1000+个)

HMC8412TCPZ-EP-R7,封装:6-Lead LFCSP (2mm x 2mm),包装形式及数量:卷带,500,工作温度:-55 to 125C,AD官网报价:86.93(100-499个);78.39(1000+个)

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HMC8412的评估套件:

Eval-HMC8412:HMC8412评估板

EV1HMC8412LP2F 由采用 10 mil 厚的 Rogers 4350B 和 Isola 370HR 铜箔制成的 4 层印刷电路板 (PCB) 组成,形成 62 mil 的标称厚度。EV1HMC8412LP2F 上的 RFIN 和 RFOUT 端口由 3.5 mm 母头同轴连接器填充,其各自的射频迹线都有 50 ? 特性阻抗。EV1HMC8412LP2F 填充了适合在 HMC8412 的 −40°C 至 +85°C 工作温度范围内使用的元件。为校准板的迹线损耗,J1 和 J2 连接器之间提供一个直通校准路径。J1 和 J2 必须填充 RF 连接器才能使用该直通校准路径。有关直通校准路径的性能,请参阅表 1 和图 3。通过表面贴装技术 (SMT) 测试点连接器 GND 和 VDD,访问 EV1HMC8412LP2F 的接地路径和 VDD 引脚。随附用于 VBIAS 的补充测试点,可轻松访问 RBIAS 引脚(测试点组件见图 5)。

EV1HMC8412LP2F 上的 RF 迹线为 50 ? 接地共面波导迹线。封装接地引线和裸焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔连接顶部和底部接地平面,并特别关注接地焊盘正下方的区域,以便为散热器提供充分的导电性和导热性。

EV1HMC8412LP2F 上的电源去耦电容器代表了用于表征和评定套件的配置。可能可减少电容器数量,但因系统而异。在减少电容器数量时,建议先移除或合并离 HMC8412 较远的较大的电容器。

需要的设备

RF 信号发生器 RF 频谱分析仪 RF 网络分析仪 5 V、100 mA 电源

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