- 制造厂商:AD
- 产品类别:RF放大器
- 技术类目:宽带分布式放大器
- 功能描述:GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器,0.1 GHz至6 GHz
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HMC637ALP5E是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)分布式功率放大器,工作频率范围为0.1 GHz至6 GHz。该放大器提供13 dB增益、44 dBm输出三阶交调截点(IP3)和29 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为400 mA(采用12 V电源)。HMC637ALP5E在100 MHz至6 GHz范围内的增益平坦度为±0.75 dB,因而非常适合电子战(EW)、电子对抗(ECM)、雷达和测试设备应用。HMC637ALP5E放大器射频(RF) I/O内部匹配至50 Ω,且5 mm × 5 mm引脚架构芯片级封装(LFCSP)与大规模表贴技术(SMT)组装设备兼容。
应用
- 电信基础设施
- 微波无线电
- 甚小孔径终端(VSAT)
- 军事与太空
- 测试仪器仪表
- 光纤产品
- P1dB输出功率:29 dBm
- 增益:13 dB
- 输出IP3:44 dBm
- 50 Ω匹配输入/输出
- 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装:25 mm2
- 下载HMC637ASCPZ-EP数据手册(pdf)
- 扩展工业温度范围:-55℃至+105°C
- 受控制造基线
- 封装/测试厂
- 制造厂
- 产品变更通知
- 认证数据可应要求提供
- V62/19618 DSCC图纸号
HMC637ALP5E,封装:32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP),包装形式及数量:Cut Tape,500,工作温度:-40 to 85C,AD官网报价:108.37(100-499个)
HMC637ALP5ETR,封装:32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP),包装形式及数量:卷带,500,工作温度:-40 to 85C,AD官网报价:108.37(100-499个)
HMC637ASCPZ-EP-PT,封装:32-lead LFCSP (5mm x 5mm),包装形式及数量:Cut Tape,1,工作温度:-55 to 105C,AD官网报价:
HMC637ASCPZ-EP-R7,封装:32-lead LFCSP (5mm x 5mm),包装形式及数量:卷带,500,工作温度:-55 to 105C,AD官网报价:
EVAL-HMC637ALP5:HMC637ALP5 评估板
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