HMC362S8G和HMC362S8GE均为低噪声4分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用8引脚表贴塑料封装。此器件在DC（使用方波输入）至12 GHz的输入频率下工作，使用+5V DC单电源。100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-149 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。

应用

• 卫星通信系统
• 光纤产品
• 点对点和点对多点无线电
• VSAT

• 超低SSB相位噪声： -149 dBc/Hz
• 宽带宽
• 输出功率：-6 dBm

• 单直流电源：+5V
• S8G SMT封装

HMC362S8G，封装：8-Lead SOIC w/ EP，包装形式及数量：Cut Tape,500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：16.78（100-499个）

HMC362S8GE，封装：8-Lead SOIC w/ EP，包装形式及数量：Cut Tape,500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：13.42（100-499个）

HMC362S8GETR，封装：8-Lead SOIC w/ EP，包装形式及数量：卷带，500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：13.42（100-499个）

HMC362S8GTR，封装：8-Lead SOIC w/ EP，包装形式及数量：卷带，500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：16.78（100-499个）

EVAL-HMC362S8G：HMC362S8G评估板

本页提供评估HMC362S8G的评估板订购信息

设计文件链接包含用于评估板的BOM、原理图和Gerber文件。