ADuM4221 是 4 A 隔离式半桥式栅极驱动器，采用 ADI公司的 iCoupler 技术食先独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221 增加爬电距离d的宽体 16 引脚 SOIC_IC 封装可提供 5700 kV rms 的隔离。这些隔离元件集高速 CMOS 和单片变压器技术于一身，性能比其他选择更优，的如兼备脉冲变压器和栅极驱动器特点。

隔离器采用 2.5 V 到 6.5 V 的逻辑输入电压范围，兼容较低的电压系统。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比， ADuM4221 能在输入和输出之间提供真正的电气隔离。

ADuM4221 内置重叠保护，并允许调整死区时间。死区时间引脚 (DT) 和 GND1 引脚之间的单电阻设置了高侧和低侧输出的次级侧死区时间。

如果 ADuM4221 的内部温度超过热关断温度 (TSD)，则内部热关断会将输出设置为低电平。因此，ADuM4121 能够在正或负开关电压下的开关电压范围内，可靠控制绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) /金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 配置，从而实现简单的压摆率控制。

应用

• 开关式电源
• 隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器
• 工业反相器
• 氮化镓 (GaN)/碳化硅 (SiC) 兼容

• 4 A 峰值电流 (<2 Ω RDSON_x)
• 2.5 V 至 6.5 V 逻辑输入电压
• 4.5 V 至 35 V 输出电源电压
• UVLO VDD1 时，正向阈值2.5 V （最大值）
• VDDA 和 VDDB 正向阀值上存在多个正向阈值 UVLO 选项
  • A 级：4.5 V （最大值）
  • B 级：7.5 V （最大值）
  • C 级：11.6 V （最大值）
• 精准时序特性
  • 44 ns 最大传播延迟

• 可调停滞时间
• CMOS 输入逻辑电平
• 高共模瞬变抗扰度：150 kV/µs
• 高工作结温：125°C
• 默认低电平输出
• 安全和监管审批（申请中）
  • UL 认证：符合 UL 1577
    • 5700 V rms 持续 1 分钟
  • CSA 元件验收通知 5A（申请中）
  • VDE 符合性证书（申请中）
    • DIN V VDE V 0884-11
    • VIORM = 849 V 峰值
• 爬电距离增加的宽体 16 引脚 SOIC_IC

ADUM4221ARIZ，封装：16-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：管装，37，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.48（100-499个）；3.07（1000+个）

ADUM4221ARIZ-RL，封装：16-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：3.48（100-499个）；3.07（1000+个）

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EVAL-ADUM4221：ADuM4221 评估板

EVAL-ADuM4221EBZ 兼容 ADuM4221 半桥栅极驱动器，该驱动器采用 ADI公司的 iCoupler 技术实现独立和隔离的高端和低端输出。EVAL-ADuM4221EBZ 配备具有 VIA 和 VIB 输入以及死区时间控制的 ADuM4221。EVAL-ADuM4221EBZ 配备适用于不同驱动条件的跳线和螺丝端子。EVAL-ADuM4221EBZ 在 VIA，VIB 和 DISABLE 引脚上使用方波和直流进行工作。

ADuM4221 在 2.5 V 到 6.5 V 的输入电压范围内运行，兼容较低的电压系统。输入引脚上的逻辑电平电压控制 VOA 和 VOB 输出。驱动器具有一个 DISABLE 输入引脚，如果该引脚保持高电平，则无论通道上的输入如何，都会将其关闭。除了基本的重叠保护外，初级侧的死区时间 (DT) 引脚还允许在 VOA 和 VOB 输出转换之间调整死区时间。

ADuM4221 在二次侧提供高达 35 V 的工作电压。EVAL-ADuM4221EBZ 提供了将高端电源自举到低端电源的措施。EVAL-ADuM4221EBZ 有助于测试传播延迟，驱动强度，空载时间操作以及器件的输入逻辑。由于 EVAL-ADuM4221EBZ 的尺寸用于 TO-220 和 TO-252 封装的绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，因此 ADuM4221 可以使用许多不同的功率器件进行评估。

有关 ADuM4221 的完整信息，请参阅 ADuM4221 数据手册，使用评估板时应同时参阅该数据手册和本用户指南。