ADuM4121/ADuM4121-1为2 A隔离式、单通道驱动器，采用ADI公司的iCoupler技术提供精密隔离。ADuM4121/ADuM4121-1提供5 kV rms隔离，采用8引脚宽体SOIC封装。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体，具有优于脉冲变压器和栅极驱动器组合等替代器件的出色性能特征。

ADuM4121/ADuM4121-1采用2.5 V至6.5 V输入电压工作，可与较低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4121/ADuM4121-1的输入与输出之间具有真电气隔离优势。

ADuM4121/ADuM4121-1集成内部米勒箝位，在2 V时可在栅极驱动输出的下降沿上激活，提供具有较低阻抗路径的驱动栅极，以减少米勒电容感应导通的可能性。

有很多选项可用于热关断使能或禁用。因此，ADuM4121/ADuM4121-1可在各种开关电压范围内对绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性进行可靠控制。

应用

• 开关电源
• 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器
• 工业逆变器
• 氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)功率器件

• 峰值输出电流：2 A (<2 Ω RDSON)
• 2.5 V至6.5 V输入
• 4.5 V至35 V输出
• 欠压闭锁(UVLO)：2.5 V VDD1
• VDD2上提供多个UVLO选项
• A级：VDD2上的UVLO：4.4 V（典型值）
• B级：VDD2上的UVLO：7.3 V（典型值）
• C级：VDD2上的UVLO：11.3 V（典型值）
• 精密时序特性
• 隔离器和驱动器传播延迟：53 ns（最大值）
• CMOS输入逻辑电平
• 工作结温最高可达：125°C

• 高共模瞬变抗扰度：>150 kV/µs
• 默认低电平输出
• 内部米勒箝位
• 安全和法规认证（申请中）
• UL认证符合UL 1577
• 1分钟5 kV rms，SOIC长封装
• CSA元件验收通知5A
• 符合VDE标准证书（申请中）
• DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)：2006-12
• VIORM = 849 V峰值
• 8引脚宽体SOIC封装

ADUM4121ARIZ，封装：8-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：管装，80，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：2.93（100-499个）；2.15（1000+个）

ADUM4121ARIZ-RL，封装：8-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：卷带，1500，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：2.93（100-499个）；2.15（1000+个）

ADUM4121BRIZ，封装：8-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：管装，80，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：2.93（100-499个）；2.15（1000+个）

ADUM4121BRIZ-RL，封装：8-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：卷带，1500，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：2.93（100-499个）；2.15（1000+个）

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EVAL-ADuM4121：ADuM4121/ADuM4121-1评估板

EVAL-ADuM4121EBZ和EVAL-ADuM4121-1EBZ评估板支持集成米勒箝位的ADuM4121/ADuM4121-1单通道栅极驱动器。ADI公司的iCoupler技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。EVAL-ADuM4121-1EBZ选项配有ADuM4121-1，它未集成内部热关断功能，当结温高于155°C（典型值）时不会关断输出。

ADuM4121的工作电压最高可达35 V。集成米勒箝位在边沿跃迁的下降沿上激活，可进一步限制输出低电平，以抵消米勒导通效应。

EVAL-ADuM4121EBZ评估板有助于对该器件的传播延迟、驱动强度、米勒箝位功能和输入逻辑进行测试。

有关ADuM4121/ADuM4121-1的完整信息，请参阅ADuM4121/ADuM4121-1数据手册，使用评估板时应同时参考用户指南UG-1041与数据手册。