ADuM4120/ADuM4120-1 是 2 A 隔离式单通道驱动器，采用 Analog Devices, Inc., iCoupler 技术提供高精度隔离。ADuM4120/ADuM4120-1 通过 6 引脚宽体 SOIC 封装提供 5 kV rms 隔离，爬电距离更长。这些隔离元件集高速 CMOS 和整体式变压器技术于一身，能够提供兼备脉冲变压器和栅极驱动器特点的出色性能。

ADuM4120/ADuM4120-1 工作输入电压介于 2.5 V 到 6.5 V 之间，兼容较低的电压系统。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4120/ ADuM4120-1 具有输入和输出之间真正的电气隔离。

这些型号都可选配输入干扰滤波器（不选配亦可）。干扰滤波器有助于降低在输入引脚上产生触发输出的噪音的几率。

因此，ADuM4120/ADuM4120-1 能够可靠控制绝缘栅极双极晶体管 (IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 配置在各种开关电压下的开关特性。

应用

• 开关式电源 
• IGBT/MOSFET 栅极驱动器
• 工业逆变器 
• 氮化镓 (GaN)/碳化硅 (SiC) 功率器件

• 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω RDSON_x)
• 2.5 V 到 6.5 V VDD1 输入
• 4.5V 到 35 V VDD2 输出 
• 2.3 V VDD1 时欠压锁定 (UVLO)
• VDD2
  上存在多个欠压锁定 (UVLO) 选项
  • A 级—4.4 V（典型值）正向阈值
  • B 级—7.3 V（典型值）正向阈值
  • C 级—11.3 V（典型值）正向阈值
• 精准定时特性 
• 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (ADuM4120)
• CMOS 输入逻辑电平 
• 高共模瞬变抗扰度：150 kV/μs
• 高工作结温：125°C 
• 默认低电平输出
• 安全和监管审批（申请中）
  
  • UL 认证：符合 UL 1577 
    • 1 分钟 5 kV rms，SOIC 长封装
  • CSA 元件验收通知 5A 
  • VDE 符合性证书（申请中）
    • DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
    • VIORM = 849 V 峰值 
• 8 mm 爬电距离
• 6 引脚宽体 SOIC 封装，爬电距离更长

ADUM4120-1ARIZ，封装：6-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：管装，100，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：2.59（100-499个）；1.9（1000+个）

ADUM4120-1ARIZ-RL，封装：6-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：卷带，1500，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：2.59（100-499个）；1.9（1000+个）

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EVAL-ADuM4120：ADuM4120 和 ADuM4120-1 评估板

评估板EVAL-ADuM4120EBZ和EVAL-ADuM4120-1EBZ支持集成米勒箝位的ADuM4120/ADuM4120-1单通道栅极驱动器。ADI公司的 iCoupler 技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。EVAL- ADuM4120-1EBZ选项配有ADuM4120-1，它未集成内部输入毛刺滤波器，因此传播延迟更低。

UG-1109中的说明和器件同时适用于EVAL-ADuM4120EBZ和EVAL-ADuM4120-1EBZ。

ADuM4120/ADuM4120-1的工作电压最高可达35 V。高共模瞬变抗扰度(CMTI)和可靠的驱动强度使ADuM4120/ADuM4120-1非常适合快速开关技术。

EVAL-ADuM4120EBZ评估板有助于对该器件的传播延迟、驱动强度和输入逻辑进行测试。

有关ADuM4120/ADuM4120-1的完整信息，请参阅ADuM4120/ADuM4120-1数据手册，使用评估板时应同时参考UG-1109与数据手册。