ADuM260N/ADuM261N/ADuM262N/ADuM263N均为采用ADI公司iCoupler技术的6通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。这些器件的最大传播延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真小于4.5 ns。具有严格的4.0 ns（最大值）传播延迟通道间匹配。

ADuM260N/ADuM261N/ADuM262N/ADuM263N数据通道属于独立式通道，提供多种配置选择，可承受5.0 kV rms的电压额定值（请参见“订购指南”）。这些器件均可采用1.7 V至5.5 V电源电压工作，与低压系统兼容，并且能够跨越隔离栅实现电压转换功能。

与其它光耦合器不同，可确保不存在输入逻辑转换时的直流正确性。它们提供两种不同的故障安全选项，输入电源未用时，输出转换到预定状态。

应用

• 通用多通道隔离
• 串行外设接口(SPI)/数据转换器隔离
• 工业现场总线隔离

1 受美国专利 5,952,849；6,873,065；6,903,578 和 7,075,329 保护。 其他专利正在申请中。

• 高共模瞬变抗扰度：100 kV/μs
• 对辐射和传导噪声的高抗干扰能力
• 低传播延迟
  • 13 ns（最大值，5 V）
  • 15 ns（最大值，1.8 V）
• 最大保证数据速率：150 Mbps
• 安全和法规认证（申请中）
  • UL认证：1分钟5000 V rms，符合UL 1577
  • CSA元件验收通知5A
  • VDE合格证书
    • DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
    • VIORM = 849 V 峰值
  • CQC认证符合GB4943.1-2011

• 低动态功耗
• 1.8 V至5 V电平转换
• 工作温度最高可达：125°C
• 故障安全高或低选项
• 16引脚宽体SOIC_IC封装，符合RoHS标准

ADUM263N0BRIZ，封装：16-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：管装，37，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：5.01（100-499个）；2.21（1000+个）

ADUM263N0BRIZ-RL，封装：16-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：2.21（1000+个）

ADUM263N1BRIZ，封装：16-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：管装，37，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：5.01（100-499个）；2.21（1000+个）

ADUM263N1BRIZ-RL，封装：16-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：2.21（1000+个）

EVAL-5CH6CHEBZ：采用 8 引脚 SOIC 封装并支持五通道和六通道标准数据隔离器的评估板

EVAL-5CH6CHSOICEBZ 采用 16 引脚 SOIC 封装，并支持 5 通道和 6 通道 iCoupler 标准数据隔离器。该评估板提供 JEDEC 标准、16 引脚 SOIC_N 和 SOIC_W 焊盘布局。此布局支持以 VDDx 或 GNDx 平面为基准的信号分配、回环和负载以及最佳旁路电容。可以将信号源通过接头引脚或通过边缘安装 SMA 连接器（SMA 连接器必须单独订购）连接到评估板。评估板上的螺丝接线板提供电源连接。

该评估板包括 0.2 英寸接头位置，以便与有源探头兼容（探头接头引脚必须单独订购）。

该评估板遵循 4 层板的最佳 PCB 设计惯例，隔离栅每侧都包括全电源平面和接地平面。评估板上不包含任何其他电磁干扰 (EMI) 或噪声缓解设计特性。在高速运行情况下，或在需要超低发射时，请参阅 AN-1109 应用笔记以了解其他的评估板布局技术。