ADuM220N/ADuM221N/ADuM225N/ADuM226N1均为采用ADI公司iCoupler技术的双通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其他集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。这些器件的最大传播延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真(PWD)小于3 ns。具有严格的3.0 ns（最大值）通道匹配。

ADuM220N/ADuM221N/ADuM225N/ADuM226N数据通道属于独立式通道，提供多种配置选择，可承受5.0 kV rms的电压额定值（请参见“订购指南”）。这些器件均采用1.8 V至5 V电源电压工作，与低压系统兼容，并且能够跨越隔离栅实现电压转换功能。与其他光耦合器不同，可确保不存在输入逻辑转换时的直流正确性。它们提供两种不同的故障安全选项，输入电源未用或输入禁用时，输出转换到预定状态。ADuM220N0与ADuM2210 RW-16封装引脚兼容。ADuM220N1与ADuM2200 RW-16封装引脚兼容。

应用

• 通用多通道隔离
• 工业现场总线隔离
• 汽车系统

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1 受美国专利第5,952,849、6,873,065、6,903,578、以及7,075,329号保护。其他专利正在申请中。

• 高共模瞬变抗扰度：100 kV/μs
• 对辐射和传导噪声的高抗干扰能力
• 低传播延迟：13 ns（最大值，5 V），15 ns（最大值，1.8 V）
• 最大数据速率：150 Mbps
• 安全和法规认证（申请中）
  
  • UL认证：1分钟5000 V rms，符合UL 1577
  • CSA元件验收通知5A
  • VDE合格证书
    • DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
    • VIORM = 849 V峰值
    • 峰值浪涌/脉冲电压额定值：10,000 V
  • CQC认证符合GB4943.1-2011

• 低动态功耗
• 1.8 V至5 V电平转换
• 工作温度最高可达：125°C（最大值）
• 故障安全高或低选项
• 符合RoHS标准的8引脚/16引脚SOIC封装
• 通过汽车应用认证

ADUM226N0BRIZ，封装：8-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：管装，80，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：2.16（100-499个）；1.22（1000+个）

ADUM226N0BRIZ-RL，封装：8-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：卷带，1500，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：1.22（1000+个）

ADUM226N0WBRIZ，封装：8-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：管装，80，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：2.88（100-499个）；1.36（1000+个）

ADUM226N0WBRIZ-RL，封装：8-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：卷带，1500，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：1.36（1000+个）

ADUM226N1BRIZ，封装：8-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：管装，80，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：2.16（100-499个）；1.22（1000+个）

ADUM226N1BRIZ-RL，封装：8-Lead SOIC (Increased Creepage)，包装形式及数量：卷带，1500，工作温度：-40 to 125C，AD官网报价：1.22（1000+个）

EVAL-1CH2CHEBZ：针对单通道和双通道标准数据隔离器的评估板，采用8引脚SOIC封装

EVAL-1CH2CHSOICEBZ支持单通道和双通道标准数据隔离器，采用8引脚SOIC封装。该评估板提供JEDEC标准8引脚SOIC_N和SOIC_W焊盘布局。该评估板支持信号分配、回送和以VDDx或GNDx为参考的负载，以及最优旁路电容。信号源可通过接头引脚或边缘安装SMA连接器（电路板不提供）传导至电路板。还提供端子板，以便进行电源连接。电路板集成200密耳接头位置，可兼容Tektronix有源探头（电路板不提供）。

该板遵循印刷电路板(PCB)的4层板设计实践，隔离栅两侧分别集成全电源和接地层。该板没有其他EMI或削减噪声的设计特性。在极高的工作速度下，或者需要超低辐射时，请参考AN-1109 应用笔记，了解其他电路板布局技巧。