ADRF5519是一款双通道集成式RF前端多芯片模块，专为工作频率为2.3 GHz至2.8 GHz的时分双工 (TDD) 应用而设计。ADRF5519采用双通道配置，包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。

在高增益模式下，级联两级LNA和开关提供1.0 dB的低噪声指数(NF)和35 dB的高增益（频率为2.6 GHz）以及32 dBm（典型值）的输出3阶交调点(OIP3)。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路状态，在36 mA的较低电流下提供14 dB的增益。在关断模式下，LNA都会关闭且器件功耗为12 mA。

在传输操作中，RF输入连接到终端引脚（ANT-CHA或ANT-CHB分别连接到TERM-CHA或TERM-CHB）。该开关提供0.5 dB的低插入损耗，并在整个生命周期内处理43 dBm的长期演进 (LTE) 平均功率（9 dB峰值/平均值比 (PAR)）。

该器件采用符合RoHS标准的紧凑型6 mm × 6 mm 40引脚LFCSP封装。

应用

• 集成式双通道 RF 前端
• 2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 交换芯片
• 片内偏置和匹配
• 单电源供电
• TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
• LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整个生命周期：43 dBm
• 增益
• 高增益模式：2.6 GHz 时为 35 dB（典型值）
• 低增益模式：2.6 GHz 时为 14 dB（典型值）
• 低噪声指数
• 高增益模式：2.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
• 低增益模式：2.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）

• 高隔离
• RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：45 dB（典型值）
• TERM-CHA 和 TERM-CHB：60 dB（典型值）
• 低插入损耗：2.6 GHz 时为 0.5 dB（典型值）
• 高 OIP3：32 dBm（典型值）
• 关断模式和低增益模式
• 低电源电流
• 高增益模式：5 V 时为 110 mA（典型值）
• 低增益模式：5 V 时为 36 mA（典型值）
• 关断模式：5 V 时为 12 mA（典型值）
• 正逻辑控制
• 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装
• 引脚与 ADRF5545A 和 ADRF5549 10 W 版本兼容

ADRF5519BCPZN，封装：40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP)，包装形式及数量：Cut Tape,750，工作温度：-40 to 105C，AD官网报价：10.20（100-499个）；9.12（1000+个）

ADRF5519BCPZN-R7，封装：40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP)，包装形式及数量：卷带，750，工作温度：-40 to 105C，AD官网报价：10.20（100-499个）；9.12（1000+个）

ADRF5519BCPZN-RL，封装：40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP)，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：-40 to 105C，AD官网报价：10.20（100-499个）；9.12（1000+个）

EVAL-ADRF5519：评估 ADRF5519 双通道 2.3 GHz 至 2.8 GHz 20 W 接收器前端

ADRF5519 是一款集成的、双通道、2.3 GHz 至 2.8 GHz、20 W 接收器前端，非常适合于时分双工 (TDD) 无线基础设施应用。ADRF5519 的每个通道上均具有一个高功率交换芯片和一个双级低噪声放大器。

该用户指南介绍了用于轻松评估 ADRF5519 的特性和性能的 ADRF5519-EVALZ 评估板。图 1 显示了 ADRF5519-EVALZ 评估板的照片。

ADRF5519 数据手册提供了 ADRF5519 的完整规格。使用 ADRF5519-EVALZ 时，应同时参阅 ADRF5519 数据手册和本用户指南。