ADRF5515是一款双通道、集成RF、前端、多芯片模块，设计用于时分双工(TDD)应用。该设备的工作频率为3.3 GHz至4.0 GHz。ADRF5515采用双通道配置，具有级联、两级、LNA和大功率硅SPDT开关。

在高增益模式下，级联两级LNA和开关提供1.0 dB的低噪声系数和33 dB的高增益（频率为3.6 GHz）以及32 dBm（典型值）的输出3阶交调点(OIP3)。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路状态，在36 mA的较低电流下提供16 dB的增益。在关断模式下，LNA都会关闭且器件功耗为12 mA。

在发射操作中，当RF输入连接到端电极引脚（TERM-CHA或TERM-CHB）时，该开关提供0.45 dB的低插入损耗，并在整个生命周期内处理43 dBm的长期演进(LTE)平均功率（9 dB峰值/平均值比(PAR)）。

ADRF5515的引脚与ADRF5545A 10 W版本兼容，后者在2.4 GHz至4.2 GHz的频率范围内工作。

ADRF5515在RF端口上不需要任何匹配元件，该端口可内部匹配至50 Ω。ANT和TERM端口也在内部交流耦合。因此，只有接收端口需要外部隔直电容。

该器件采用符合RoHS标准的紧凑型6 mm ×6 mm 40引脚LFCSP封装。

应用

• 无线基础设施
• TDD大规模多路输入和多路输出和有源天线系统
• 基于TDD的通信系统

• 集成式双通道 RF 前端
  • 2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 开关
  • 片内偏置和匹配
  • 单电源供电
• 增益
  • 高增益模式：3.6 GHz 时为 33 dB（典型值）
  • 低增益模式：3.6 GHz 时为 16 dB（典型值）
• 低噪声指数
  • 高增益模式：3.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
  • 低增益模式：3.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
• 高隔离
  • RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：45 dB（典型值）
  • TERM-CHA 和 TERM-CHB：60 dB（典型值）
• 低插入损耗：3.6 GHz 时为 0.45 dB（典型值）

• TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
  • 整个生命周期
    • LTE 平均功率 (9 dB PAR)：43 dBm
  • 高 OIP3（高增益模式）：32 dBm（典型值）
  • 关断模式和低增益模式（针对 LNA）
  • 低电源电流
    • 高增益模式：5 V 时为 86 mA（典型值）
    • 低增益模式：5 V 时为 36 mA（典型值）
    • 关断模式：5 V 时为 12 mA（典型值）
  • 正逻辑控制
  • 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装
  • 与 ADRF5545A 10 W 版本引脚兼容

ADRF5515BCPZN，封装：40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP)，包装形式及数量：Cut Tape,750，工作温度：-40 to 105C，AD官网报价：10.20（100-499个）；9.12（1000+个）

ADRF5515BCPZN-R7，封装：40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP)，包装形式及数量：卷带，750，工作温度：-40 to 105C，AD官网报价：10.20（100-499个）；9.12（1000+个）

ADRF5515BCPZN-RL，封装：40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP)，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：-40 to 105C，AD官网报价：10.20（100-499个）；9.12（1000+个）

EVAL-ADRF5515：评估ADRF5515双通道3.3 GHz至4.0 GHz接收器前端

ADRF5515是一款集成式、双通道接收器前端，非常适合时分双工(TDD)无线基础设施应用。ADRF5515由每通道上的高功率开关和两级低噪声放大器(LNA)组成。

本用户指南介绍ADRF5515-EVALZ评估板，专为轻松评估ADRF5515的特性和性能而设计。评估板的照片如图1所示。

ADRF5515数据手册提供ADRF5515的完整规格。使用评估板时，应同时参阅ADRF5515数据手册和本用户指南。