ADRF5345是一款高线性度、反射式、单刀四掷(SP4T)开关，采用硅工艺制造。

ADRF5345的工作频率范围为1.8 GHz至3.8 GHz，具有低于0.40 dB的典型插入损耗以及84 dBm的典型输入IP3。针对长期演进(LTE)信号，该器件具有39 dBm（连续波信号）、39 dBm（平均值）和49 dBm（峰值）的RF输入功率处理能力。

ADRF5345集成负电压发生器(NVG)，可采用施加于VDD引脚的5 V (VDD)单正电源供电，同时消耗2 mA的电源电流。该器件利用低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制。

ADRF5345采用符合RoHS标准的4 mm × 4 mm、22引脚、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。

应用

• 反射式设计
• 低插入损耗
• 0.35 dB 至 2.8 GHz（典型值）
• 0.40 dB 至 3.8 GHz（典型值）
• TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
• 长期（>10 年）平均值
• 连续波功率：39 dBm
• 长期演进信号
• 平均功率：39 dBm
• 峰值功率：49 dBm

• 高输入线性度，IP3：84 dBm（典型值）
• ESD 额定值
• HBM：2000 伏，2 级
• CDM：1000 V，C3 级
• 单电源运行，集成 NVG
• 正控制，兼容 LVCMOS-/LVTTL
• 4 毫米 x 4 毫米、22 端子 LGA 封装

ADRF5345BCCZN，封装：22-Terminal LGA (4 x 4mm x 0.776mm with a 2.4 x 2.4mm)，包装形式及数量：卷带，1500，工作温度：-40 to 105C，AD官网报价：

ADRF5345BCCZN-R7，封装：22-Terminal LGA (4 x 4mm x 0.776mm with a 2.4 x 2.4mm)，包装形式及数量：卷带，1500，工作温度：-40 to 105C，AD官网报价：

ADRF5345BCCZN-RL，封装：22-Terminal LGA (4 x 4mm x 0.776mm with a 2.4 x 2.4mm)，包装形式及数量：卷带，5000，工作温度：-40 to 105C，AD官网报价：

EVAL-ADRF5345：ADRF5345 高线性度硅 SP4T 开关的评估，1.8 GHz 至 3.8 GHz

ADRF5345 是一款利用硅工艺制造的高线性度、单刀四掷 (SP4T) 开关。

该用户指南介绍了用于简单评估 ADRF5345 的特性和性能的 ADRF5345-EVALZ 评估板。用户指南中的图 1 显示了评估板的照片。

ADRF5345 数据手册提供了 ADRF5345 的完整规格。使用 ADRF5345-EVALZ 时，应同时参阅 ADRF5345 数据手册和本用户指南。