ADRF5132 是一款高功率反射式 0.7 GHz 到 5.0 GHz 硅单刀双掷 (SPDT) 反射开关，采用无铅的表面贴装式封装。此开关适用于高功率和蜂窝基础设施应用，如长期演进 (LTE) 基站。ADRF5132 具有 35 dBm LTE 的高功率处理能力（105°C 时的平均典型值）、2.7 GHz 时 0.6 dB 的低插入损耗、65 dBm 的输入三阶截距（典型值）和 42.5 dBm 的 0.1 dB 压纹 (P0.1dB)。

片内电路使用 5 V 的单一正电源工作，典型电源电流为 1.1 mA，使得 ADRF5132 成为基于 Pin 二极管的开关的理想替代方案。

此器件采用符合 RoHS 指令的紧凑式 16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP 封装。

应用

• 蜂窝/4G 基础设施
• 无线基础设施
• 军事和高可靠性应用
• 测试设备
• Pin 二极管替代方案

• 反射式 50 ? 设计
• 低插入损耗：2.7 GHz 时为 0.6 dB（典型值）
• TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
  • 持久（>10 年运行）
    • 峰值功率：43 dBm
    • 连续波功率：38 dBm
    • 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：35 dBm
• 单一事件（<10 秒运行）
  • 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：41 dBm

• 高线性度
  • P0.1dB：42.5 dBm（典型值）
  • IP3：2.0 GHz 到 4.0 GHz 时为 65 dBm（典型值）
• ESD 额定值
  • HBM：2 kV，2 级
  • CDM：1.25 kV
• 单一正电源：5 V
• 正控制，CMOS/TTL 兼容
• 16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP 封装

ADRF5132BCPZN，封装：16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP)，包装形式及数量：Cut Tape,500，工作温度：-40 to 105C，AD官网报价：19.07（100-499个）；12.70（1000+个）

ADRF5132BCPZN-R7，封装：16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP)，包装形式及数量：卷带，500，工作温度：-40 to 105C，AD官网报价：19.07（100-499个）；12.70（1000+个）

EVAL-ADRF5132：ADRF5132 评估板

ADRF5132-EVALZ可以处理器件工作所处的高功率水平和温度。

ADRF5132-EVALZ评估板由八个金属层和各层之间的电介质构成。每个金属层的铜厚为1盎司(1.3 mil)，而外部层的铜厚为1.5盎司。

顶部电介质材料为10 mil Rogers RO4350，具有较低热系数，可对电路板的温升进行控制。其他金属层之间的电介质为FR4。实现的电路板总厚度为60 mil。