- 制造厂商:AD
- 产品类别:基准电压源
- 技术类目:串联基准电压源
- 功能描述:超低噪声、5.0V LDO XFET基准电压源,具有吸电流和源电流能力
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ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列XFET基准电压源具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET(外加离子注入场效应管)技术,可以使ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445电压随温度变化的非线性度降至低点。
XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源,且所需的电源电压裕量较小(500 mV)。这种特性组合使ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列非常适合高端数据采集系统、光学网络和医疗应用中的精密信号转换。
ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列的拉电流输出高达10 mA,灌电流能力最大为-5 mA。它还具有调整引脚,可以在0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。
ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列采用8引脚MSOP和窄体SOIC封装,提供两种电气等级。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
应用
- 精密数据采集系统
- 高分辨率数据转换器
- 电池供电仪器仪表
- 便携式医疗仪器
- 工业过程控制系统
- 精密仪器
- 光学控制电路
- 超低噪声(0.1 Hz至10 Hz)
ADR440:1 μV p-p
ADR441:1.2 μV p-p
ADR443:1.4 μV p-p
ADR444:1.8 μV p-p
ADR445:2.25 μV p-p - 输入范围:(VOUT + 500 mV)至18 V
- 出色的温度系数
A级:10 ppm/°C
B级:3 ppm/°C
- 低压差工作:500 mV
- 高输出源电流和吸电流,
分别为+10 mA和−5 mA - 宽温度范围:−40°C至+125°C
ADR445ARMZ,封装:8-Lead MSOP,包装形式及数量:管装,50,工作温度:-40 to 125C,AD官网报价:3.5(100-499个);3.25(1000+个)
ADR445ARMZ-REEL7,封装:8-Lead MSOP,包装形式及数量:卷带,1000,工作温度:-40 to 125C,AD官网报价:3.25(1000+个)
ADR445ARZ,封装:8-Lead SOIC,包装形式及数量:管装,98,工作温度:-40 to 125C,AD官网报价:3.32(100-499个);3.06(1000+个)
ADR445ARZ-REEL7,封装:8-Lead SOIC,包装形式及数量:卷带,1000,工作温度:-40 to 125C,AD官网报价:3.06(1000+个)
ADR445BRZ,封装:8-Lead SOIC,包装形式及数量:管装,98,工作温度:-40 to 125C,AD官网报价:4.86(100-499个);4.3(1000+个)
ADR445BRZ-REEL7,封装:8-Lead SOIC,包装形式及数量:卷带,1000,工作温度:-40 to 125C,AD官网报价:4.3(1000+个)
ADR445ARMZ,封装:8-Lead MSOP,包装形式及数量:管装,50,工作温度:-40 to 125C,AD官网报价:3.5(100-499个);3.25(1000+个)
ADR445ARMZ-REEL7,封装:8-Lead MSOP,包装形式及数量:卷带,1000,工作温度:-40 to 125C,AD官网报价:3.25(1000+个)
ADR445ARZ,封装:8-Lead SOIC,包装形式及数量:管装,98,工作温度:-40 to 125C,AD官网报价:3.32(100-499个);3.06(1000+个)
ADR445ARZ-REEL7,封装:8-Lead SOIC,包装形式及数量:卷带,1000,工作温度:-40 to 125C,AD官网报价:3.06(1000+个)
ADR445BRZ,封装:8-Lead SOIC,包装形式及数量:管装,98,工作温度:-40 to 125C,AD官网报价:4.86(100-499个);4.3(1000+个)
ADR445BRZ-REEL7,封装:8-Lead SOIC,包装形式及数量:卷带,1000,工作温度:-40 to 125C,AD官网报价:4.3(1000+个)