ADPA7005 是一款砷化镓 (GaAs) 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 微波单片集成电路 (MMIC) 32 dBm 饱和输出功率 (>1 W) 功率放大器，具有集成的温度补偿片内功率检测器，工作频率范围为 18 GHz 到 44 GHz。ADPA7005 可在 32 GHz 的频率下利用 5 V 电源提供 15.5 dB 的小信号增益和大约 32 dBm 的饱和输出功率（请参阅数据手册中的图 26）。ADPA7005 40 dBm 的 IP3，适用于线性应用，例如需要 >30 dBm 有效饱和输出功率的电子对抗和仪器仪表应用。RF 输入/输出在内部进行匹配并直流阻断，以便于集成到更高电平的组件中。ADPA7005 封装在带有散热器的 7 mm × 7 mm 18 端子陶瓷无引脚陶瓷无引线芯片载体中 (LCC_HS)，具有低热阻，并与表面安装制造技术兼容。

应用

• 军用和航空航天
• 测试仪器仪表
• 通信

• 输出 P1dB：高达 31 dBm（典型值）
• PSAT：高达 32 dBm（典型值）
• 增益：高达 15.5 dB（典型值）
• 输出 IP3：高达 42.5 dBm（典型值）

• 电源电压：1400 mA 时 5 V
• 50 ? 匹配输入/输出
• 18 端子 7 mm × 7 mm LCC_HS 封装
• 集成功率检测器

ADPA7005AEHZ，封装：18-Lead LCC (7mm x 7mm x 1.32mm w/EP)，包装形式及数量：Cut Tape,100，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：160.4（100-499个）；150.47（1000+个）

ADPA7005AEHZ-R7，封装：18-Lead LCC (7mm x 7mm x 1.32mm w/EP)，包装形式及数量：卷带，500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：160.4（100-499个）；150.47（1000+个）

ADPA7005C-KIT，封装：CHIPS OR DIE，包装形式及数量：托盘，2，工作温度：-55 to 85C，AD官网报价：158.38（100-499个）；158.38（1000+个）

ADPA7005CHIP，封装：CHIPS OR DIE，包装形式及数量：托盘，25，工作温度：-55 to 85C，AD官网报价：147.65（100-499个）；138.52（1000+个）

EVAL-ADPA7005AEHZ：评估ADPA7005 18 GHz至44 GHz、GaAs、pHEMT、32 dBm (>1 W)、MMIC功率放大器

ADPA7005-EVALZ 由采用 10 mil 厚的 Rogers 4350B 铜箔制成的双层印刷电路板 (PCB) 组成，并安装在铝制散热器上。散热器有助于为套件提供散热，以及为 PCB 提供机械支撑。散热器上的安装孔便于连接到较大的散热器，从而改善热管理。ADPA7005-EVALZ 上的 RFIN 和 RFOUT 端口由 2.9 mm 母头同轴连接器填充。各自的 RF 迹线具有 50 ? 的特性阻抗。

ADPA7005-EVALZ 内含适合在该套件的整个 ?40°C 至 +85°C 工作温度范围内使用的元件。为校准板的迹线损耗，J1 和 J2 连接器之间提供一个直通校准路径。J1 和 J2 必须填充 RF 连接器才能使用该直通校准路径。有关直通校准路径的性能，请参阅表 2 和图 3。

可以通过两个 8 引脚头部来访问电源电压、接地电压、栅极控制电压和检测器输出电压（请参阅用户指南中的表 1）。

RF 迹线为 50 Ω 接地共面波导迹线。封装接地引线和裸焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔用于连接顶部和底部接地平面，并特别关注接地焊盘正下方的区域，以便为散热器提供充分的导电性和导热性。

ADPA7005-EVALZ 上的电源去耦电容器代表了用于表征和评定套件的配置。可能有一个示波器，用来减少电容器数量，但示波器因系统而异。建议先移除或合并离套件最远的最大电容器。