ADL8142是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器，工作频率范围为23 GHz至31 GHz。在27 GHz至31 GHz范围内，ADL8142提供27 dB典型增益、1.6 dB典型噪声系数和29 dBm典型输出三阶交调截点(OIP3)，采用2 V电源电压时功耗仅为25 mA。注意，可通过较大的漏极电流改善OIP3。ADL8142还具有交流耦合的输入和输出，内部匹配至50 Ω，因而非常适合高容量微波无线电应用。

ADL8142采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm 8引脚LFCSP封装。

应用

• 低噪声指数：27 GHz 至 31 GHz 范围内为 1.6 dB（典型值）
• 单一正电源（自偏置）

• 高增益：27 GHz 至 31 GHz 范围内为 27 dB（典型值）
• 高 OIP3：27 GHz 至 31 GHz 时为 29 dBm（典型值）
• 兼容 RoHS 的 8 引脚 2 mm × 2 mm LFCSP

ADL8142ACPZN，封装：8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85，包装形式及数量：Cut Tape,500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：44.57（100-499个）；42.42（1000+个）

ADL8142ACPZN-R7，封装：8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85，包装形式及数量：卷带，500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：44.57（100-499个）；42.42（1000+个）

EVAL-ADL8142：评估 ADL8142 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，23 GHz 至 32 GHz

ADL8142-EVALZ 由用 8 毫米厚的 Rogers 4003C 和 Isola 370HR 铜箔制成的 4 层印刷电路板 (PCB) 组成，形成 62 毫米的标称厚度。ADL8142-EVALZ 上的 RFIN 和 RFOUT 端口由 2.92 mm 母头同轴连接器填充，其各自的射频回溯都有 50 ? 特性阻抗。ADL8142-EVALZ 装有适合在 ADL8142 的整个 -40°C 至 + 85°C 工作温度范围内使用的组件。为校准板的回溯损耗，J1 和 J2 连接器之间提供一个直通校准路径。J1 和 J2 必须安装 RF 连接器，才能使用该直通校准路径。有关直通校准路径的性能，请参阅用户手册中的表 1 和图 3。

连接ADL8107-EVALZ 的接地路径和 VDD 引脚需要通过表面贴装技术 (SMT) 测试点连接器、GND 和 VDD。?随附用于 VBIAS 的补充测试点，可轻松访问 RBIAS 引脚（测试点组件见图 5）。

ADL8142-EVALZ 上的 RF 回溯为 50 Ω，接地共勉波导迹线。封装接地引线和裸焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔连接顶部和底部接地平面，并特别关注接地焊盘正下方的区域，以便为散热器提供充分的导电性和导热性。

ADL8142-EVALZ 上的电源去耦电容器代表了用于表征和评定套件的配置。

有关 ADL8142 的完整详细信息，请参阅 ADL8142 数据手册，在使用 ADL8142-EVALZ 时，必须同时参阅该数据手册和本用户指南。