ADL8121是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.025 GHz至12 GHz。

在0.025 GHz至10 GHz频率范围内，ADL8121提供16.5 dB典型增益、2.5 dB典型噪声系数和36 dBm典型输出三阶交调截点(OIP3)，采用5 V电源电压时功耗仅为95 mA。在0.025 GHz至10 GHz频率范围内，21.5 dBm的典型饱和输出功率(PSAT)可以使低噪声放大器(LNA)用作ADI公司众多平衡式、同相和正交(I/Q)或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。

ADL8121还具有内部匹配50 Ω的输入和输出，非常适合基于表贴技术(SMT)的应用且采用符合RoHS标准的2 mm x 2 mm、6引脚LFCSP封装。

应用

• 低噪声指数：0.025 GHz 到 10 GHz 范围内为 2.5 dB（典型值）
• 单一正电源（自偏置）

• 高增益：0.025 GHz 到 10 GHz 范围内为 16.5 dB（典型值）
• 高 OIP3：0.025 GHz 到 10 GHz 时为 36 dBm（典型值）
• 兼容 RoHS 的 6 引脚 2 mm × 2 mm LFCSP

ADL8121ACPZN，封装：6-Lead LFCSP (2mm x 2mm)，包装形式及数量：卷带，3000，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：59（100-499个）；53.2（1000+个）

ADL8121ACPZN-R7，封装：6-Lead LFCSP (2mm x 2mm)，包装形式及数量：卷带，3000，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：59（100-499个）；53.2（1000+个）

EVAL-ADL8121：评估 ADL8121 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，0.025 至12 GHz

ADL8121-EVALZ 由用 10 毫米厚的 Rogers 4350B 和 Isola 370HR 铜箔制成的 4 层印刷电路板 (PCB) 组成，形成 62 毫米的标称厚度。ADL8121-EVALZ 上的 RFIN 和 RFOUT 端口都接入超小型 A (SMA) 母头同轴连接器，其相应的射频迹线都有 50 ? 特性阻抗。ADL8121-EVALZ 装有适合在 ADL8121 的整个 -40°C 至 + 85°C 工作温度范围内使用的组件。为校准板的回溯损耗，J1 和 J2 连接器之间提供一个直通校准路径。J1 和 J2 必须安装 RF 连接器和电容器，才能使用该直通校准路径。有关直通校准路径的性能，请参阅图 3 至表 1。

连接 ADL8121-EVALZ 的接地路径和 RFOUT/VDD 引脚需要通过表面贴装技术 (SMT) 测试点连接器、GDN 和 VDD。?随附用于 VBIAS 的补充测试点，可轻松连接 RBIAS 引脚（测试点位置见用户手册测试点小节的图 5）。

ADL8121-EVALZ 上的 RF 回溯为 50 Ω，接地共勉波导迹线。封装接地引线和裸焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔连接顶部和底部接地平面，并特别关注接地焊盘正下方的区域，以便为散热器提供充分的导电性和导热性。

ADL8121-EVALZ 上的电源去耦电容器代表了用于表征和评定套件的配置。

有关 ADL8121 的完整详细信息，请参阅 ADL8121 数据手册，在使用 ADL8121-EVALZ 时，必须同时参阅该数据手册和本用户指南。