ADL8107是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波IC (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带、高线性度放大器，工作频率范围为6 GHz至18 GHz。

ADL8107在7 GHz至16 GHz范围内提供24 dB的典型增益，在7 GHz至16 Ghz范围内的典型噪声系数为1.3 dB，在7 GHz至16 GHz范围内具有1 dB压缩(OP1dB)，典型输出功率为18.5 dBm，在7 GHz至16 GHz范围内的典型输出三阶交调点(OIP3)为29 dBm，采用5 V漏电源供电功耗仅90 mA。此款低噪声放大器在7 GHz至16 GHz范围内的输出二阶交调点(OIP2)为30.5 dBm（典型值），使ADL8107适合军事和测试仪器仪表应用。

ADL8107还具有内部匹配50 Ω的输入和输出。RFIN和RFOUT引脚均内部交流耦合，同时集成了偏置电感，使ADL8107非常适合基于表贴技术(SMT)的高密度应用。

ADL8107采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm 8引脚LFCSP封装。

应用

• 单一正电源（自偏置）
• 增益：7 GHz到16 GHz范围内为24 dB（典型值）
• OIP3：7 GHz到16 GHz时为29 dBm（典型值）

• 噪声指数：7 GHz到16 GHz范围内为1.3 dB（典型值）
• 8引脚2mm x 2mm LFCSP（参见数据手册的“外形尺寸“章节）

ADL8107ACPZN，封装：8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85，包装形式及数量：Cut Tape,1，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：53.9（100-499个）；51.98（1000+个）

ADL8107ACPZN-R7，封装：8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85，包装形式及数量：卷带，500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：53.9（100-499个）；51.98（1000+个）

EVAL-ADL8107：评估ADL8107 GaAs、pHEMT低噪声放大器，6至18 GHz

ADL8150-EVALZ 由用10毫米厚的Rogers 4350B和Isola 370HR铜箔制成的4层印刷电路板（PCB）组成，形成62毫米的标称厚度。ADL8107-EVALZ上的RFIN和RFOUT端口由2.92mm母头同轴连接器填充，其各自的射频回溯都有50?特性阻抗。ADL8107-EVALZ装有适合在ADL8107的整个-40°C至+ 85°C工作温度范围内使用的组件。为校准板的回溯损耗，J1和J2连接器之间提供一个直通校准路径。J1和J2 必须安装RF连接器，才能使用该直通校准路径。有关直通校准路径的性能，请参阅用户手册中的表1和图 3。

连接ADL8107-EVALZ 的接地路径和VDD 引脚需要通过表面贴装技术 (VDD) 测试点连接器SMT和VDD。?随附用于 VBIAS 的补充测试点，可轻松连接RBIAS引脚（测试点位置见用户手册测试点小节的图 5）。

ADL8107-EVALZ上的RF回溯为50 Ω，接地共勉波导迹线。封装接地引线和裸焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔连接顶部和底部接地平面，并特别关注接地焊盘正下方的区域，以便为散热器提供充分的导电性和导热性。

ADL8107-EVALZ上的电源去耦电容器代表了用于表征和评定套件的配置。

有关 ADL8107的完整详细信息，请参阅ADL8107数据手册，在使用ADL8107-EVALZ时，必须同时参阅该数据手册和本用户指南。