AD822是一款双通道、精密、低功耗、FET输入运算放大器，可以采用5 V至30 V单电源或±2.5 V至±15 V双电源供电。该放大器具有单电源供电能力，输入电压范围可扩展至负供电轨以下，因此它在单电源模式下可以处理地电压以下的输入信号。输出电压摆幅可扩展至各供电轨10 mV以内，以提供最大的输出动态范围。

直流精度性能包括最大800 μV的失调电压、2 μV/°C的失调电压漂移、小于25 pA的输入偏置电流以及低输入电压噪声，源阻抗最高可达1 GΩ。单位增益带宽为1.8 MHz，10 kHz时总谐波失真（THD）为–93 dB，压摆率为3 V/μs，每个放大器的电源电流低至800 μA。

应用

• 电池供电精密仪器仪表
• 光电二极管前置放大器
• 有源滤波器12位至14位数据采集系统
• 医疗仪器
• 低功耗基准电压源和调节器

AD822-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）

• 真正的单电源供电
  • 轨到轨输出摆幅
  • 输入电压范围扩展至地电压以下
  • 5 V至30 V单电源供电能力
  • 双电源供电：±2.5 V至±15 V
• 高负载驱动能力
  • 350 pF、G = +1的容性负载驱动能力
  • 最小输出电流：15 mA
• 欲了解更多特性，请参考数据手册

• 下载AD822-EP数据手册(pdf)
• 军用温度范围（−55℃至+125℃）
• 受控制造基线
• 封装/测试厂
• 制造厂
• 增强型产品变更通知
• 认证数据可应要求提供
• V62/12636 DSCC图纸号

AD822ANZ，封装：8-Lead PDIP，包装形式及数量：管装，50，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：5.85（100-499个）；5.24（1000+个）

AD822ARMZ，封装：8-Lead MSOP，包装形式及数量：管装，50，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：4.12（100-499个）；3.7（1000+个）

AD822ARMZ-REEL，封装：8-Lead MSOP，包装形式及数量：卷带，3000，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：4.12（100-499个）；3.7（1000+个）

AD822ARZ，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：4.12（100-499个）；3.7（1000+个）

AD822ARZ-REEL，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：4.12（100-499个）；3.7（1000+个）

AD822ARZ-REEL7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，750，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：4.12（100-499个）；3.7（1000+个）

AD822BRZ，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：6.13（100-499个）；5.52（1000+个）

AD822BRZ-REEL，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：6.13（100-499个）；5.52（1000+个）

AD822BRZ-REEL7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，750，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：6.13（100-499个）；5.52（1000+个）

AD822C-WP，封装：CHIPS OR DIE，包装形式及数量：托盘，208，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：24.99（1000+个）

AD822TRZ-EP，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：-55 to 125C，AD官网报价：6.63（100-499个）；5.96（1000+个）

AD822TRZ-EP-R7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-55 to 125C，AD官网报价：6.63（100-499个）；5.96（1000+个）

EVAL-OPAMP-2：EVAL-OPAMP-2评估板