AD8032(双核)是一款单电源电压反馈型放大器，具有高速特性，小信号带宽为80 MHz，压摆率为30 V/µs，建立时间为125 ns。实现以上特性只需采用+5 V单电源供电，功耗小于4.0 mW。这一低功耗特性可以在不牺牲动态性能的情况下延长高速、电池供电系统的工作时间。

AD8032采用单电源供电，具有轨到轨输入和输出特性，额定电源电压为+2.7 V、+5 V和±5 V。输入电压范围可以扩展至各供电轨以外500 mV。输出电压摆幅为各供电轨20 mV以内，以提供较大的输出动态范围。

AD8032还能提供出色的信号质量，而每放大器电源电流仅为800µA。采用+5 V电源时，对于2 V峰峰值、1 MHz输出信号，总谐波失真(THD)为-62 dBc；对于100 kHz、4.6 V峰峰值信号，THD为-86 dBc。低失真和快速建立时间使它特别适合用作单电源ADC的缓冲器。

AD8032采用+2.7 V至+12 V单电源或最高±6 V双电源供电，适合各种各样的应用，包括具有高带宽要求的电池供电系统以及器件密度高且要求较低功耗的高速系统。它采用8引脚PDIP和8引脚SOIC_N封装，工作温度范围为-40°C至+85°C工业温度范围。

AD8031 – 单路放大器

• 低功耗
  电源电流：800 µA/放大器
  额定电源电压：+2.7 V、+5 V和±5 V
• 高速、快速建立(5 V)
  -3 dB带宽：80 MHz (G = +1)
  30 V/µs压摆率 >
  0.1%建立时间：125 ns
• 低失真
  -62 dB (1 MHz)，VO = 2 V p-p
  -86 dB (100 kHz)，VO = 4.6 V p-p
• 轨到轨输入和输出
  输入高于电源电压0.5 V不会反相
  输入共模电压范围扩展至供电轨200 mV以外
  输出摆幅为任一供电轨20 mV以内
• 输出电流：15 mA
• 高等级选项 VOS (最大值)= 1.5 mV

AD8032ACHIPS，封装：None Available，包装形式及数量：托盘，210，工作温度：25C，AD官网报价：

AD8032ANZ，封装：8-Lead PDIP，包装形式及数量：管装，50，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：2.93（100-499个）；2.5（1000+个）

AD8032ARMZ，封装：8-Lead MSOP，包装形式及数量：管装，50，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：2.32（100-499个）；1.97（1000+个）

AD8032ARMZ-REEL，封装：8-Lead MSOP，包装形式及数量：卷带，3000，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：2.32（100-499个）；1.97（1000+个）

AD8032ARMZ-REEL7，封装：8-Lead MSOP，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：2.32（100-499个）；1.97（1000+个）

AD8032ARZ，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：2.32（100-499个）；1.97（1000+个）

AD8032ARZ-REEL，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：2.32（100-499个）；1.97（1000+个）

AD8032ARZ-REEL7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，1000，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：2.32（100-499个）；1.97（1000+个）

AD8032BRZ，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：3.63（100-499个）；3.19（1000+个）

AD8032BRZ-REEL，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：3.63（100-499个）；3.19（1000+个）

AD8032BRZ-REEL7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，750，工作温度：-40 to 85C，AD官网报价：3.63（100-499个）；3.19（1000+个）

EVAL-HSAMP-2：通用型双通道高速运算放大器评估板

通用型双通道高速放大器评估板为裸板，允许用户快速完成各种运算放大器电路的原型设计，从而较大程度地降低风险，加快产品上市。 这些评估板全部兼容RoHs标准。 请参考下列订购指南和引脚数和封装，决定需要订购的型号。