- 制造厂商:AD
- 产品类别:基准电压源
- 技术类目:串联基准电压源
- 功能描述:高精度10 V基准电压源
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AD587代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。
AD587的性能明显高于大多数其它10 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD587迅速完成升级。
基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低嵌入式齐纳二极管产生的噪声电平。
AD587推荐用作需要外部精密基准电压源的8位、10位、12位、14位或16位DAC的基准电压源。该器件也适合最高14位精度的逐次逼近型或集成式ADC,而且其性能通常优于标准片内基准电压源。
AD587J和AD587K的额定工作温度范围为0°C至70°C,AD587U则为−55°C至+125°C。AD587JQ和AD587UQ提供8引脚CERDIP封装,其它型号提供8引脚SOIC封装(适合表贴应用)或8引脚PDIP封装。
产品聚焦
数据手册, Rev. H, 9/07
- 激光调整高精度
10.000 V ± 5 mV (U级) - 经过调整的温度系数
5 ppm/°C (最大值,U级) - 降噪能力
- 低静态电流:4 mA(最大值)
- 输出调整能力
- 提供符合MIL-STD-883标准的版本
5962-8982502PA,封装:8-Lead CerDIP,包装形式及数量:管装,48,工作温度:-55 to 125C,AD官网报价:
5962-8982503PA,封装:8-Lead CerDIP,包装形式及数量:管装,48,工作温度:-55 to 125C,AD官网报价:
AD587JNZ,封装:8-Lead PDIP,包装形式及数量:管装,50,工作温度:0 to 70C,AD官网报价:8.4(100-499个);7.11(1000+个)
AD587JQ,封装:8-Lead CerDIP,包装形式及数量:管装,48,工作温度:0 to 70C,AD官网报价:11.53(100-499个);9.73(1000+个)
AD587JRZ,封装:8-Lead SOIC,包装形式及数量:管装,98,工作温度:0 to 70C,AD官网报价:4.9(100-499个);4.14(1000+个)
AD587JRZ-REEL,封装:8-Lead SOIC,包装形式及数量:卷带,2500,工作温度:0 to 70C,AD官网报价:4.9(100-499个);4.14(1000+个)
AD587JRZ-REEL7,封装:8-Lead SOIC,包装形式及数量:卷带,1000,工作温度:0 to 70C,AD官网报价:4.9(100-499个);4.14(1000+个)
AD587KNZ,封装:8-Lead PDIP,包装形式及数量:管装,50,工作温度:0 to 70C,AD官网报价:10.9(100-499个);9.23(1000+个)
AD587KRZ,封装:8-Lead SOIC,包装形式及数量:管装,98,工作温度:0 to 70C,AD官网报价:5.55(100-499个);4.73(1000+个)
AD587KRZ-REEL,封装:8-Lead SOIC,包装形式及数量:卷带,2500,工作温度:0 to 70C,AD官网报价:5.55(100-499个);4.73(1000+个)
AD587KRZ-REEL7,封装:8-Lead SOIC,包装形式及数量:卷带,1000,工作温度:0 to 70C,AD官网报价:5.55(100-499个);4.73(1000+个)
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5962-8982503PA,封装:8-Lead CerDIP,包装形式及数量:管装,48,工作温度:-55 to 125C,AD官网报价:
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AD587UQ,封装:8-Lead CerDIP,包装形式及数量:管装,48,工作温度:-55 to 125C,AD官网报价:23.84(100-499个);20.3(1000+个)